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参数目录44009
> FDS4675_F085 MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDS4675_F085 PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4350pF @ 20V
功率 - 最大
1.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS4675_F085TR
查看FDS4675_F085代理商
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